BSP52T1G

Teknik Özellikler

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Pin Sayısı

4

Polarity

NPN

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collectoremitter Saturation Voltage

1.3V

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Voltage Rated Dc

80V

JESD-609 Kodu

e3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Continuous Collector Current

1A

Transistor Application

SWITCHING

Collector Base Voltage Vcbo

90V

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Number Of Elements

1

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Max Breakdown Voltage

80V

Kılıf / Paket

TO-261-4, TO-261AA

Max Collector Current

1A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Halogen Free

Halogen Free

Genişlik

3.5mm

Transistor Element Material

SILICON

Yayın Yılı

1997

Uzunluk

6.5mm

Current Collector Cutoff Max

10μA

Temel Parça No

BSP52

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

4

Radyasyon Dayanımı

No

Kurşunsuz

Lead Free

Kurşunsuz Kodu

yes

Case Connection

COLLECTOR

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Max Power Dissipation

800mW

Reach Svhc

No SVHC

Vce Saturation Max Ib Ic

1.3V @ 500μA, 500mA

Terminal Sayısı

4