BDV65B

Teknik Özellikler

Max Collector Current

10A

Voltage Rated Dc

100V

Terminal Sayısı

3

Collector Emitter Voltage Vceo

2V

Qualification Status

Not Qualified

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 5A 4V

Akım Değeri

10A

JESD-609 Kodu

e0

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Transistor Type

NPN - Darlington

Montaj Tipi

Through Hole

Hfemin

1000

Yüzey Montaj

NO

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz

Contains Lead

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Continuous Collector Current

10A

Pin Sayısı

3

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)

Case Connection

COLLECTOR

Transistor Element Material

SILICON

Current Collector Cutoff Max

1mA

Kurşunsuz Kodu

no

Max Power Dissipation

125W

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Ambalaj

Tube

Vce Saturation Max Ib Ic

2V @ 20mA, 5A

Transistor Application

AMPLIFIER

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Number Of Elements

1

Yayın Yılı

2002

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Element Configuration

Single

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Kılıf / Paket

TO-218-3

Power Dissipation

125W