BDV64BG

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Current Collector Cutoff Max

1mA

Max Power Dissipation

125W

Kurşunsuz Kodu

yes

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

3

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Case Connection

COLLECTOR

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Kurşunsuz

Lead Free

ECCN Kodu

EAR99

JESD-609 Kodu

e3

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Transistor Type

PNP - Darlington

Montaj Tipi

Through Hole

Hfemin

1000

Yüzey Montaj

NO

Akım Değeri

-10A

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 5A 4V

Terminal Sayısı

3

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Max Collector Current

10A

Voltage Rated Dc

-100V

Power Dissipation

125W

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Polarity

PNP

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

3

Kılıf / Paket

TO-247-3

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Reach Svhc

No SVHC

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Single

Transistor Application

AMPLIFIER

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Number Of Elements

1

Yayın Yılı

2002