BD810G

Teknik Özellikler

Yükseklik

6.35mm

Element Configuration

Single

Yüzey Montaj

NO

Transistor Type

PNP

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Tube

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transition Frequency

1.5MHz

Parça Durumu

Active

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

15 @ 4A 2V

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Akım Değeri

10A

ECCN Kodu

EAR99

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Transistor Application

AMPLIFIER

Kılıf / Paket

TO-220-3

Kurşunsuz

Lead Free

Number Of Elements

1

Power Dissipation

90W

Radyasyon Dayanımı

No

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

3

Reach Svhc

No SVHC

Contact Plating

Tin

Current Collector Cutoff Max

1mA ICBO

Uzunluk

31.75mm

Vce Saturation Max Ib Ic

1.1V @ 300mA, 3A

Max Power Dissipation

90W

Polaritychannel Type

PNP

Jedec95 Code

TO-220AB

Transistor Element Material

SILICON

Pin Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Collectoremitter Saturation Voltage

1.1V

Hfemin

30

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Genişlik

12.7mm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ