BD809G

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2007

Max Collector Current

10A

Kurşunsuz Kodu

yes

Montaj Tipi

Through Hole

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Voltage Rated Dc

80V

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Frekans

1.5MHz

Weight

4.535924g

Genişlik

4.82mm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Case Connection

COLLECTOR

Gain Bandwidth Product

1.5MHz

Polaritychannel Type

NPN

Max Power Dissipation

90W

Pin Sayısı

3

Hfemin

30

Collectoremitter Saturation Voltage

1.1V

Pin Sayısı

3

Jedec95 Code

TO-220AB

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

3

Contact Plating

Tin

Reach Svhc

No SVHC

Uzunluk

10.28mm

Current Collector Cutoff Max

1mA ICBO

Vce Saturation Max Ib Ic

1.1V @ 300mA, 3A

Power Dissipation

90W

Radyasyon Dayanımı

No

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Kılıf / Paket

TO-220-3

Transistor Application

AMPLIFIER

Kurşunsuz

Lead Free

Number Of Elements

1

Max Breakdown Voltage

80V