BD679G

Teknik Özellikler

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Sayısı

3

Transistor Type

NPN - Darlington

Pin Sayısı

3

Collector Emitter Voltage Vceo

80V

ECCN Kodu

EAR99

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Akım

2A

Montaj Tipi

Through Hole

Contact Plating

Tin

Kurşunsuz Kodu

yes

Akım Değeri

4A

Number Of Elements

1

Ambalaj

Bulk

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Pin Sayısı

3

Yayın Yılı

1995

Polarity

NPN

Vce Saturation Max Ib Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

Parça Durumu

Active

Temel Parça No

BD679

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Montaj

Through Hole

Hfemin

750

JESD-609 Kodu

e3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

750 @ 1.5A 3V

Current Collector Cutoff Max

500μA

Radyasyon Dayanımı

No

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Element Configuration

Single

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Gerilim

80V

Collectoremitter Saturation Voltage

2.5V

Max Collector Current

4A

Transistor Application

AMPLIFIER

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant