BD677AG

Teknik Özellikler

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Ambalaj

Bulk

Number Of Elements

1

Akım Değeri

-4A

Kurşunsuz Kodu

yes

Genişlik

2.66mm

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Montaj Tipi

Through Hole

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

Emitter Base Voltage Vebo

5V

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

3

Yükseklik

11.04mm

Transistor Type

NPN - Darlington

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Sayısı

3

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Max Power Dissipation

40W

Power Dissipation

40W

Voltage Rated Dc

-60V

Kılıf / Paket

TO-225AA, TO-126-3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Application

AMPLIFIER

Max Collector Current

4A

Collectoremitter Saturation Voltage

2.8V

Uzunluk

7.74mm

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Element Configuration

Single

Reach Svhc

No SVHC

Radyasyon Dayanımı

No

Current Collector Cutoff Max

500μA

Hfemin

750

JESD-609 Kodu

e3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

750 @ 2A 3V

Yüzey Montaj

NO