BD435G

Teknik Özellikler

Collector Base Voltage Vcbo

32V

Hfemin

40

Akım Değeri

4A

Transition Frequency

3MHz

Collector Emitter Voltage Vceo

32V

Terminal Sayısı

3

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

85 @ 500mA 1V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 200mA, 2A

Gain Bandwidth Product

3MHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Pin Sayısı

3

Polaritychannel Type

NPN

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

Max Collector Current

4A

Transistor Application

SWITCHING

Frekans

3MHz

Number Of Elements

1

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Montaj Tipi

Through Hole

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Parça Durumu

Active

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yayın Yılı

2003

Kılıf / Paket

TO-225AA, TO-126-3

Element Configuration

Single

Transistor Type

NPN

JESD-609 Kodu

e3

Temel Parça No

BD435

Transistor Element Material

SILICON

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yüzey Montaj

NO

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Ambalaj

Bulk

Max Power Dissipation

36W

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

3