BD239BTU

Teknik Özellikler

ECCN Kodu

EAR99

Voltage Rated Dc

80V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Kurşunsuz Kodu

yes

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Vce Saturation Max Ib Ic

700mV @ 200mA, 1A

Yayın Yılı

2000

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

RoHS Durumu

RoHS Compliant

JESD-609 Kodu

e3

Parça Durumu

Obsolete

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Uzunluk

9.9mm

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Current Collector Cutoff Max

300μA

Genişlik

4.5mm

Collectoremitter Saturation Voltage

700mV

Contact Plating

Tin

Terminal Sayısı

3

Akım Değeri

2A

Pin Sayısı

3

Jedec95 Code

TO-220AB

Max Power Dissipation

30W

Qualification Status

Not Qualified

Transistor Application

SWITCHING

Kılıf / Paket

TO-220-3

Polaritychannel Type

NPN

Temel Parça No

BD239

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

90V

Transistor Type

NPN

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Ambalaj

Tube

Yükseklik

15.7mm

Montaj Tipi

Through Hole

Power Dissipation

30W