BD238G

Teknik Özellikler

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

40 @ 150mA 2V

Hfemin

40

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Bulk

Montaj Tipi

Through Hole

Power Dissipation

25W

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Max Collector Current

2A

Element Configuration

Single

Number Of Elements

1

Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Pin Sayısı

3

Transistor Type

PNP

Transistor Application

AMPLIFIER

Polaritychannel Type

PNP

Kılıf / Paket

TO-225AA, TO-126-3

Pin Sayısı

3

Max Power Dissipation

25W

Qualification Status

Not Qualified

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Gain Bandwidth Product

3MHz

Current Collector Cutoff Max

100μA ICBO

Collectoremitter Saturation Voltage

600mV

Terminal Sayısı

3

Nem Hassasiyeti (MSL)

Not Applicable

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Parça Durumu

Active

JESD-609 Kodu

e3

Yayın Yılı

2003

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transition Frequency

3MHz

Transistor Element Material

SILICON

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 100mA, 1A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Frekans

3MHz

Yüzey Montaj

NO

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)