BD140

Teknik Özellikler

Polarity

PNP

Terminal Sayısı

3

Power Dissipation

1.25W

Collector Base Voltage Vcbo

-80V

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Case Connection

ISOLATED

Transistor Application

AMPLIFIER

Number Of Elements

1

Contact Plating

Tin

Voltage Rated Dc

-80V

Transistor Type

PNP

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

80V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

40 @ 150mA 2V

Currentcollector Ic Max

1.5A

Max Breakdown Voltage

100V

Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Genişlik

2.7mm

Tedarikçi Cihaz Paketi

TO-225AA

Kurşunsuz

Contains Lead

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Transition Frequency

75MHz

Ambalaj

Bulk

Collector Emitter Voltage Vceo

500mV

Radyasyon Dayanımı

No

Akım Değeri

-1.5A

Polaritychannel Type

PNP

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Reach Svhc

No SVHC

Yayın Yılı

2009

Yükseklik

10.8mm

JESD-609 Kodu

e3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj

Through Hole

Max Power Dissipation

1.25W

Power Max

1.25W