BD139G

Teknik Özellikler

Max Power Dissipation

1.25W

Transistor Type

NPN

Voltage Rated Dc

80V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

1

Contact Plating

Tin

Transistor Application

AMPLIFIER

JESD-609 Kodu

e3

Yayın Yılı

1999

Yükseklik

11.04mm

Polaritychannel Type

NPN

Fabrika Tedarik Süresi

9 Weeks

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Reach Svhc

No SVHC

Radyasyon Dayanımı

No

Akım Değeri

1.5A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Power Dissipation

1.25W

Terminal Sayısı

3

Yüzey Montaj

NO

Uzunluk

7.74mm

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transistor Element Material

SILICON

Ambalaj

Bulk

Element Configuration

Single

Weight

4.535924g

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Kurşunsuz

Lead Free

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV

Genişlik

2.66mm

Pin Sayısı

3

Temel Parça No

BD139

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Pin Sayısı

3