BD137G

Teknik Özellikler

Yüzey Montaj

NO

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

Radyasyon Dayanımı

No

Akım Değeri

6A

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Polaritychannel Type

NPN

Yükseklik

11.04mm

Yayın Yılı

2001

JESD-609 Kodu

e3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Power Dissipation

1.25W

Power Max

1.25W

Max Collector Current

1.5A

Parça Durumu

Active

Hfemin

25

Montaj Tipi

Through Hole

Kılıf / Paket

TO-225AA, TO-126-3

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Pin Sayısı

3

Temel Parça No

BD137

Weight

4.535924g

Element Configuration

Single

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

Uzunluk

7.74mm

Terminal Sayısı

3

Power Dissipation

65W

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Transistor Application

AMPLIFIER

Contact Plating

Tin

Number Of Elements

1

Voltage Rated Dc

60V

Transistor Type

NPN