BD135G

Teknik Özellikler

Max Power Dissipation

1.25W

Transistor Type

NPN

Number Of Elements

1

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Contact Plating

Tin

Voltage Rated Dc

45V

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Application

AMPLIFIER

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Polaritychannel Type

NPN

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Yükseklik

11.04mm

Yayın Yılı

1999

Akım Değeri

1.5A

Radyasyon Dayanımı

No

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Dissipation

1.25W

Collector Base Voltage Vcbo

45V

Collector Emitter Voltage Vceo

45V

Yüzey Montaj

NO

Terminal Sayısı

3

Uzunluk

7.74mm

ECCN Kodu

EAR99

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Kurşunsuz Kodu

yes

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Ambalaj

Bulk

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz

Lead Free

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV

Element Configuration

Single

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Weight

4.535924g

Temel Parça No

BD135

Genişlik

2.66mm

Pin Sayısı

3

Montaj Tipi

Through Hole

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ