BD135

Teknik Özellikler

Collector Emitter Voltage Vceo

500mV

Akım Değeri

1.5A

Radyasyon Dayanımı

No

Yayın Yılı

2009

Yükseklik

10.8mm

Reach Svhc

No SVHC

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Polaritychannel Type

NPN

JESD-609 Kodu

e3

Montaj

Through Hole

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Max

1.25W

Max Power Dissipation

1.25W

Hfemin

25

Parça Durumu

Obsolete

Max Collector Current

1.5A

Pin Sayısı

3

Montaj Tipi

Through Hole

Kılıf / Paket

TO-225AA, TO-126-3

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Temel Parça No

BD135

Weight

4.535924g

Element Configuration

Single

Transistor Element Material

SILICON

Emitter Base Voltage Vebo

5V

ECCN Kodu

EAR99

Uzunluk

7.8mm

Polarity

NPN

Terminal Sayısı

3

Collector Base Voltage Vcbo

45V

Power Dissipation

1.25W

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Case Connection

ISOLATED

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Transistor Application

AMPLIFIER

Voltage Rated Dc

45V

Contact Plating

Tin

Number Of Elements

1

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

45V