BCW65CLT1G

Teknik Özellikler

Transistor Type

NPN

Max Power Dissipation

225mW

Montaj Tipi

Surface Mount

Voltage Rated Dc

32V

Number Of Elements

1

Gain Bandwidth Product

100MHz

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Radyasyon Dayanımı

No

Genişlik

1.4mm

Transistor Element Material

SILICON

Collectoremitter Breakdown Voltage

32V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Kurşunsuz

Lead Free

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Transition Frequency

100MHz

Vce Saturation Max Ib Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Collectoremitter Saturation Voltage

700mV

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Temel Parça No

BCW65

Max Collector Current

800mA

Uzunluk

3.04mm

Element Configuration

Single

Terminal Formu

GULL WING

Max Breakdown Voltage

32V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Pin Sayısı

3

Akım Değeri

800mA

Frekans

100MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

250 @ 100mA 1V

ECCN Kodu

EAR99

Parça Durumu

Active

Hfemin

80

Kurşunsuz Kodu

yes

Collector Emitter Voltage Vceo

32V

Collector Base Voltage Vcbo

60V