BCW30LT1G

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

215 @ 2mA 5V

Akım Değeri

-100mA

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

3

Max Breakdown Voltage

32V

Element Configuration

Single

Max Collector Current

100mA

Transistor Type

PNP

Terminal Formu

GULL WING

Voltage Rated Dc

-32V

Montaj Tipi

Surface Mount

Number Of Elements

1

Max Power Dissipation

225mW

Terminal Pozisyonu

DUAL

Pin Sayısı

3

Yayın Yılı

1999

JESD-609 Kodu

e3

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Yüzey Montaj

YES

Temel Parça No

BCW30

Polaritychannel Type

PNP

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collectoremitter Saturation Voltage

-300mV

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

3

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Vce Saturation Max Ib Ic

300mV @ 500μA, 10mA

Contact Plating

Tin

Collectoremitter Breakdown Voltage

32V

Kurşunsuz Kodu

yes

Hfemin

215

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Parça Durumu

Active

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Reach Svhc

No SVHC

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ