BCP69T1G

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 100mA, 1A

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Kurşunsuz Kodu

yes

Yüzey Montaj

YES

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Element Configuration

Single

Hfemin

50

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

85 @ 500mA 1V

Kurşunsuz

Lead Free

Temel Parça No

BCP69

Case Connection

COLLECTOR

Gain Bandwidth Product

60MHz

Voltage Rated Dc

-20V

Ambalaj

Cut Tape (CT)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Formu

GULL WING

Akım Değeri

-1A

Transition Frequency

60MHz

Yayın Yılı

2008

Max Collector Current

1A

Pin Sayısı

4

Terminal Sayısı

4

Pin Sayısı

4

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Parça Durumu

Active

Polaritychannel Type

PNP

Transistor Element Material

SILICON

Uzunluk

6.6802mm

Collector Base Voltage Vcbo

25V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Yükseklik

1.651mm

Radyasyon Dayanımı

No

Contact Plating

Tin

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Collectoremitter Saturation Voltage

-500mV

ECCN Kodu

EAR99

JESD-609 Kodu

e3

Genişlik

3.7084mm