BC859BLT1G

Teknik Özellikler

Transistor Type

PNP

Temel Parça No

BC859

Hfemin

220

Number Of Elements

1

Transition Frequency

100MHz

Akım Değeri

-100mA

Terminal Sayısı

3

Collector Emitter Voltage Vceo

650mV

Qualification Status

Not Qualified

Parça Durumu

Obsolete

JESD-609 Kodu

e3

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Formu

GULL WING

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

Transistor Element Material

SILICON

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Collector Base Voltage Vcbo

-50V

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Max Power Dissipation

300mW

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Polaritychannel Type

PNP

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)

Montaj Tipi

Surface Mount

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

220 @ 2mA 5V

Yayın Yılı

2005

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Gain Bandwidth Product

100MHz

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz

Lead Free

Currentcollector Ic Max

100mA

Max Collector Current

100mA