BC859BLT1

Teknik Özellikler

Kurşunsuz

Contains Lead

Pin Sayısı

3

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gain Bandwidth Product

100MHz

Element Configuration

Single

Max Collector Current

100mA

Voltage Rated Dc

-30V

Currentcollector Ic Max

100mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Kurşunsuz Kodu

no

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Collector Base Voltage Vcbo

-50V

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Terminal Pozisyonu

DUAL

Max Power Dissipation

300mW

Montaj Tipi

Surface Mount

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 18 hours ago)

Polaritychannel Type

PNP

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

220 @ 2mA 5V

Yayın Yılı

2005

JESD-609 Kodu

e0

ECCN Kodu

EAR99

Parça Durumu

Obsolete

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Element Material

SILICON

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Formu

GULL WING

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Montaj

Surface Mount

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Transistor Type

PNP

Hfemin

150

Number Of Elements

1