BC858CDXV6T1G

Teknik Özellikler

Akım Değeri

-100mA

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Transition Frequency

100MHz

Transistor Application

AMPLIFIER

Temel Parça No

BC858CDXV6

Number Of Elements

2

Radyasyon Dayanımı

No

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Formu

FLAT

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

Parça Durumu

Active

JESD-609 Kodu

e3

Yayın Yılı

2005

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

420 @ 2mA 5V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

6

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

500mW

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Collector Base Voltage Vcbo

30V

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Element Configuration

Dual

Voltage Rated Dc

-30V

Pin Sayısı

6

Terminal Sayısı

6

Frekans

100MHz

Hfemin

420

Power Dissipation

500mW

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

Genişlik

1.3mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)