BC858ALT1

Teknik Özellikler

Collector Emitter Voltage Vceo

650mV

Qualification Status

Not Qualified

Terminal Sayısı

3

Akım Değeri

-100mA

Transition Frequency

100MHz

Transistor Application

SWITCHING

Hfemin

125

Number Of Elements

1

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Transistor Type

PNP

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

HTS Kodu

8541.21.00.95

Montaj

Surface Mount

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

Terminal Formu

GULL WING

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Kodu

EAR99

JESD-609 Kodu

e0

Parça Durumu

Obsolete

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Pin Sayısı

3

Yayın Yılı

2005

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

125 @ 2mA 5V

Montaj Tipi

Surface Mount

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)

Polaritychannel Type

PNP

Terminal Pozisyonu

DUAL

Max Power Dissipation

300mW

Collector Base Voltage Vcbo

-80V

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Kurşunsuz Kodu

no

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Voltage Rated Dc

-30V