BC857CLT1

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

420 @ 2mA 5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Kurşunsuz

Contains Lead

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

3

Qualification Status

Not Qualified

Transistor Type

PNP

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e0

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn80Pb20)

Parça Durumu

Obsolete

Collector Emitter Voltage Vceo

650mV

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Terminal Sayısı

3

Yayın Yılı

2005

Pin Sayısı

3

Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)

Voltage Rated Dc

-45V

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Akım Değeri

-100mA

Polaritychannel Type

PNP

Transition Frequency

100MHz

Frekans

100MHz

Yüzey Montaj

YES

Element Configuration

Single

Hfemin

420

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Kurşunsuz Kodu

no

Max Collector Current

100mA

Gain Bandwidth Product

100MHz

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Transistor Element Material

SILICON

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Pozisyonu

DUAL

Max Power Dissipation

300mW