BC857CDW1T1

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Akım Değeri

-100mA

Voltage Rated Dc

-45V

Yüzey Montaj

YES

Transition Frequency

100MHz

Frekans

100MHz

Element Configuration

Dual

Hfemin

420

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Terminal Sayısı

6

Yayın Yılı

2005

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

Pin Sayısı

6

Qualification Status

Not Qualified

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Pin Sayısı

6

Number Of Elements

2

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

JESD-609 Kodu

e0

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Parça Durumu

Obsolete

Collector Emitter Voltage Vceo

650mV

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz

Contains Lead

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

420 @ 2mA 5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Power Dissipation

380mW

Polarity

PNP

Collector Base Voltage Vcbo

-50V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Power Dissipation

380mW

ECCN Kodu

EAR99

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Transistor Element Material

SILICON

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Application

AMPLIFIER