BC857BWT1G

Teknik Özellikler

Emitter Base Voltage Vebo

5V

ECCN Kodu

EAR99

Max Power Dissipation

150mW

Terminal Formu

GULL WING

Max Collector Current

100mA

Reach Svhc

No SVHC

Fabrika Tedarik Süresi

5 Weeks

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Kurşunsuz Kodu

yes

Element Configuration

Single

Hfemin

150

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transition Frequency

100MHz

Polaritychannel Type

PNP

Genişlik

1.35mm

Pin Sayısı

3

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Terminal Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Collector Emitter Voltage Vceo

45V

Pin Sayısı

3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

220 @ 2mA 5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Montaj Tipi

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation

150mW

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Yükseklik

900μm

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Element Material

SILICON

Radyasyon Dayanımı

No

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

Gain Bandwidth Product

100MHz

Uzunluk

2.2mm

Temel Parça No

BC85**W

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Transistor Application

AMPLIFIER

Max Breakdown Voltage

45V