BC857BDW1T1G

Teknik Özellikler

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Transistor Application

AMPLIFIER

Uzunluk

2mm

Temel Parça No

BC857BD

Gain Bandwidth Product

100MHz

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Element Material

SILICON

Yükseklik

900μm

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Power Dissipation

380mW

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Number Of Elements

2

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Parça Durumu

Active

JESD-609 Kodu

e3

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Yayın Yılı

2005

Frekans

100MHz

Yüzey Montaj

YES

Voltage Rated Dc

-45V

Akım Değeri

-100mA

Max Breakdown Voltage

45V

Kurşunsuz Kodu

yes

Reach Svhc

No SVHC

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Max Collector Current

100mA

Terminal Formu

GULL WING

Max Power Dissipation

380mW

ECCN Kodu

EAR99

Contact Plating

Tin

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Polarity

PNP

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

220 @ 2mA 5V