BC857ALT1G

Teknik Özellikler

Terminal Formu

GULL WING

Kurşunsuz Kodu

yes

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Reach Svhc

No SVHC

Max Collector Current

100mA

Contact Plating

Tin

ECCN Kodu

EAR99

Max Power Dissipation

225mW

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Pin Sayısı

3

Collector Emitter Voltage Vceo

45V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Montaj Tipi

Surface Mount

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

125 @ 2mA 5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Polaritychannel Type

PNP

Transition Frequency

100MHz

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Hfemin

125

Element Configuration

Single

Terminal Sayısı

3

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Genişlik

1.4mm

Pin Sayısı

3

Radyasyon Dayanımı

No

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Pozisyonu

DUAL

Yükseklik

1.11mm

Transistor Application

SWITCHING

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Uzunluk

3.04mm

Gain Bandwidth Product

100MHz

Power Dissipation

300mW

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Number Of Elements

1

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260