BC856BWT1G

Teknik Özellikler

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Contact Plating

Tin

Max Power Dissipation

150mW

ECCN Kodu

EAR99

Max Collector Current

100mA

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Fabrika Tedarik Süresi

5 Weeks

Reach Svhc

No SVHC

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Formu

GULL WING

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

Genişlik

1.35mm

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Element Configuration

Single

Hfemin

150

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transition Frequency

100MHz

Polaritychannel Type

PNP

Montaj Tipi

Surface Mount

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

220 @ 2mA 5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Collector Emitter Voltage Vceo

65V

Pin Sayısı

3

Collectoremitter Breakdown Voltage

65V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Power Dissipation

150mW

Gain Bandwidth Product

100MHz

Temel Parça No

BC85**W

Uzunluk

2.2mm

Transistor Application

AMPLIFIER

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Yükseklik

900μm

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Element Material

SILICON

Radyasyon Dayanımı

No

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

Yayın Yılı

2005