BC856BDW1T3G

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

Radyasyon Dayanımı

No

Yükseklik

950μm

Reference Standard

AEC-Q101

Transistor Application

AMPLIFIER

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Gain Bandwidth Product

100MHz

Uzunluk

2.08mm

Power Dissipation

380mW

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

65V

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Number Of Elements

2

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Active

JESD-609 Kodu

e3

Kurşunsuz

Lead Free

Akım Değeri

-100mA

Voltage Rated Dc

-65V

Yüzey Montaj

YES

Frekans

100MHz

Max Breakdown Voltage

65V

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Yayın Yılı

2005

Terminal Formu

GULL WING

Kurşunsuz Kodu

yes

Max Collector Current

100mA

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Polarity

PNP

Max Power Dissipation

380mW

ECCN Kodu

EAR99

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Pin Sayısı

6

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Collector Emitter Voltage Vceo

65V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Montaj Tipi

Surface Mount