BC856BDW1T1G

Teknik Özellikler

Contact Plating

Tin

Max Power Dissipation

380mW

ECCN Kodu

EAR99

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Polarity

PNP

Kurşunsuz Kodu

yes

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Reach Svhc

No SVHC

Max Collector Current

100mA

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Sayısı

6

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Genişlik

1.25mm

Pin Sayısı

6

Transition Frequency

100MHz

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Hfemin

220

Element Configuration

Dual

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Montaj Tipi

Surface Mount

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

220 @ 2mA 5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Pin Sayısı

6

Collector Emitter Voltage Vceo

65V

Collectoremitter Breakdown Voltage

65V

Power Dissipation

380mW

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Transistor Application

AMPLIFIER

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Uzunluk

2mm

Gain Bandwidth Product

100MHz

Radyasyon Dayanımı

No

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

Transistor Element Material

SILICON

Yükseklik

900μm

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Yayın Yılı

2005

Yüzey Montaj

YES