BC850CLT1

Teknik Özellikler

Power Dissipation

300mW

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

ECCN Kodu

EAR99

Max Power Dissipation

225mW

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Collectoremitter Saturation Voltage

600mV

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Formu

GULL WING

Kurşunsuz Kodu

no

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Temel Parça No

BC850*L

Gain Bandwidth Product

100MHz

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Max Collector Current

100mA

Yüzey Montaj

YES

Frekans

100MHz

Transition Frequency

100MHz

Polaritychannel Type

NPN

Akım Değeri

100mA

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Voltage Rated Dc

45V

Hfemin

420

Max Breakdown Voltage

45V

Element Configuration

Single

Terminal Sayısı

3

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

Pin Sayısı

3

Yayın Yılı

2007

Number Of Elements

1

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Qualification Status

Not Qualified

Transistor Type

NPN

Pin Sayısı

3

Collector Emitter Voltage Vceo

45V