BC849CLT1

Teknik Özellikler

Collectoremitter Saturation Voltage

600mV

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Formu

GULL WING

Kurşunsuz Kodu

no

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Gain Bandwidth Product

100MHz

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Max Collector Current

100mA

Collector Base Voltage Vcbo

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Power Dissipation

300mW

ECCN Kodu

EAR99

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Number Of Elements

1

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

HTS Kodu

8541.21.00.95

Transistor Type

NPN

Qualification Status

Not Qualified

Pin Sayısı

3

Collector Emitter Voltage Vceo

600mV

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn80Pb20)

Parça Durumu

Obsolete

JESD-609 Kodu

e0

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Kurşunsuz

Contains Lead

Montaj Tipi

Surface Mount

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

420 @ 2mA 5V

Yüzey Montaj

YES

Polaritychannel Type

NPN

Transition Frequency

100MHz

Akım Değeri

100mA

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Voltage Rated Dc

30V

Hfemin

420

Power Rating

300mW