BC848CDW1T1G

Teknik Özellikler

Yükseklik

1.1mm

Radyasyon Dayanımı

No

Collectoremitter Saturation Voltage

600mV

Transistor Element Material

SILICON

Uzunluk

2.2mm

Gain Bandwidth Product

100MHz

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Transistor Application

AMPLIFIER

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Base Voltage Vcbo

30V

Power Dissipation

380mW

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

JESD-609 Kodu

e3

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Number Of Elements

2

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Kurşunsuz

Lead Free

Max Breakdown Voltage

30V

Frekans

100MHz

Yüzey Montaj

YES

Voltage Rated Dc

30V

Akım Değeri

100mA

Yayın Yılı

2007

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Terminal Formu

GULL WING

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Max Collector Current

100mA

Kurşunsuz Kodu

yes

Polarity

NPN

Emitter Base Voltage Vebo

5V

ECCN Kodu

EAR99

Max Power Dissipation

380mW

Contact Plating

Tin

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Pin Sayısı

6

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

420 @ 2mA 5V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40