BC848BWT1G

Teknik Özellikler

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Contact Plating

Tin

ECCN Kodu

EAR99

Max Power Dissipation

150mW

Terminal Formu

GULL WING

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Reach Svhc

No SVHC

Max Collector Current

100mA

Kurşunsuz Kodu

yes

Hfemin

150

Element Configuration

Single

Polaritychannel Type

NPN

Transition Frequency

100MHz

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)

Pin Sayısı

3

Genişlik

1.35mm

Terminal Sayısı

3

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Pin Sayısı

3

Montaj Tipi

Surface Mount

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Base Voltage Vcbo

30V

Power Dissipation

150mW

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Yükseklik

900μm

Collectoremitter Saturation Voltage

600mV

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Element Material

SILICON

Uzunluk

2.2mm

Gain Bandwidth Product

100MHz

Transistor Application

AMPLIFIER

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Max Breakdown Voltage

30V

Yüzey Montaj

YES