BC847BPDXV6T5G

Teknik Özellikler

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Yayın Yılı

2012

Terminal Formu

FLAT

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Polarity

NPN, PNP

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Transistor Element Material

SILICON

Gain Bandwidth Product

100MHz

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Collector Emitter Voltage Vceo

600mV

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA

Voltage Rated Dc

45V

Kurşunsuz Kodu

yes

Hfemin

150

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Max Power Dissipation

500mW

Akım Değeri

100mA

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Terminal Sayısı

6

Temel Parça No

BC847BPD

Collectoremitter Saturation Voltage

600mV

Transistor Type

NPN, PNP

Pin Sayısı

6

ECCN Kodu

EAR99

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Transition Frequency

100MHz

Max Collector Current

100mA

Montaj Tipi

Surface Mount

Qualification Status

Not Qualified

Parça Durumu

Obsolete

Number Of Elements

2

Pin Sayısı

6

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Application

AMPLIFIER

Yüzey Montaj

YES

Ambalaj

Tape & Reel (TR)