BC847BPDXV6T1G

Teknik Özellikler

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Frekans

100MHz

Yükseklik

600μm

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Power Dissipation

500mW

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Fabrika Tedarik Süresi

5 Weeks

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

45V

Genişlik

1.3mm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Kurşunsuz Kodu

yes

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Akım Değeri

100mA

ECCN Kodu

EAR99

Radyasyon Dayanımı

No

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

6

Number Of Elements

2

Transistor Application

AMPLIFIER

Max Breakdown Voltage

45V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Uzunluk

1.7mm

Yayın Yılı

2004

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Terminal Formu

FLAT

Polarity

NPN, PNP

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Element Material

SILICON

Gain Bandwidth Product

100MHz

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Halogen Free

Halogen Free

Contact Plating

Tin

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Reach Svhc

No SVHC

Hfemin

200

Max Power Dissipation

357mW

Terminal Sayısı

6