BC847BPDW1T2G

Teknik Özellikler

Polarity

NPN, PNP

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Yayın Yılı

2009

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Frekans

100MHz

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Terminal Formu

GULL WING

Kurşunsuz

Lead Free

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Halogen Free

Halogen Free

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation

380mW

Gain Bandwidth Product

100MHz

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA

Contact Plating

Tin

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

45V

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Terminal Sayısı

6

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Hfemin

200

Kurşunsuz Kodu

yes

Max Power Dissipation

380mW

ECCN Kodu

EAR99

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

6

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Collector Current

100mA

Transition Frequency

100MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

Temel Parça No

BC847BPD

Transistor Type

NPN, PNP

Pin Sayısı

6

Number Of Elements

2

Yüzey Montaj

YES

Transistor Application

AMPLIFIER