BC847BPDW1T1G

Teknik Özellikler

Yükseklik

900μm

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Frekans

100MHz

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Power Dissipation

380mW

Collector Emitter Voltage Vceo

45V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Genişlik

1.25mm

Terminal

SMD/SMT

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Akım Değeri

1A

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Application

AMPLIFIER

Pin Sayısı

6

Number Of Elements

2

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Breakdown Voltage

45V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Polarity

NPN, PNP

Terminal Formu

GULL WING

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Yayın Yılı

2004

Uzunluk

2mm

Kurşunsuz

Lead Free

Halogen Free

Halogen Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Output Voltage

5V

Gain Bandwidth Product

100MHz

Transistor Element Material

SILICON

Reach Svhc

No SVHC

Voltage Rated Dc

45V

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Contact Plating

Tin