BC847BLT3G

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

45V

Genişlik

1.3mm

Power Dissipation

300mW

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Frekans

100MHz

Yükseklik

940μm

Terminal Pozisyonu

DUAL

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Max Breakdown Voltage

45V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

3

Number Of Elements

1

ECCN Kodu

EAR99

Radyasyon Dayanımı

No

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Kurşunsuz Kodu

yes

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Akım Değeri

100mA

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage Rated Dc

45V

Reach Svhc

No SVHC

Transistor Element Material

SILICON

Gain Bandwidth Product

100MHz

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Halogen Free

Halogen Free

Kurşunsuz

Lead Free

Uzunluk

2.9mm

Polaritychannel Type

NPN

Yayın Yılı

2007

Terminal Formu

GULL WING

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Element Configuration

Single

Ambalaj

Tape & Reel (TR)