BC640G

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Obsolete

Collector Base Voltage Vcbo

-80V

Frekans

150MHz

Hfemin

25

Kurşunsuz Kodu

yes

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Number Of Elements

1

Power Dissipation

625mW

ECCN Kodu

EAR99

Transition Frequency

150MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Akım Değeri

-500mA

Voltage Rated Dc

-80V

Montaj Tipi

Through Hole

Yüzey Montaj

NO

Temel Parça No

BC640

Gain Bandwidth Product

150MHz

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Collector Emitter Voltage Vceo

500mV

Element Configuration

Single

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

40 @ 150mA 2V

JESD-609 Kodu

e1

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pin Sayısı

3

Max Collector Current

500mA

Qualification Status

Not Qualified

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Transistor Element Material

SILICON

Polaritychannel Type

PNP

Max Power Dissipation

625mW

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Yayın Yılı

2005

Ambalaj

Bulk

Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

Collectoremitter Saturation Voltage

-500mV