BC639ZL1G

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

JESD-609 Kodu

e1

Pin Sayısı

3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

40 @ 150mA 2V

Terminal Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

Max Collector Current

1A

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Yayın Yılı

2011

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 20 hours ago)

Additional Feature

EUROPEAN PART NUMBER

Polaritychannel Type

NPN

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Max Power Dissipation

625mW

Transistor Type

NPN

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Hfemin

25

Frekans

200MHz

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Kurşunsuz Kodu

yes

Parça Durumu

Obsolete

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Number Of Elements

1

Power Dissipation

625mW

ECCN Kodu

EAR99

Transition Frequency

200MHz

Max Breakdown Voltage

80V

Akım Değeri

1A

Yüzey Montaj

NO

Montaj Tipi

Through Hole

Voltage Rated Dc

80V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)