BC639G

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Akım Değeri

1A

Montaj Tipi

Through Hole

Temel Parça No

BC639

Element Configuration

Single

Pin Sayısı

3

Parça Durumu

Obsolete

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Genişlik

4.19mm

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Transition Frequency

200MHz

ECCN Kodu

EAR99

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Polaritychannel Type

NPN

Max Power Dissipation

625mW

Uzunluk

5.2mm

Yayın Yılı

1996

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV

Transistor Type

NPN

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Terminal Sayısı

3

JESD-609 Kodu

e1

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transistor Element Material

SILICON

Voltage Rated Dc

80V

Yüzey Montaj

NO

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Gain Bandwidth Product

200MHz

Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Radyasyon Dayanımı

No

Frekans

200MHz

Hfemin

25

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Kurşunsuz Kodu

yes

Reach Svhc

No SVHC

Power Dissipation

625mW