BC639-16ZL1G

Teknik Özellikler

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

100 @ 150mA 2V

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

3

JESD-609 Kodu

e1

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Collector Current

1A

Transistor Element Material

SILICON

Max Power Dissipation

625mW

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Polaritychannel Type

NPN

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Yayın Yılı

2005

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Transistor Type

NPN

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV

Contact Plating

Copper, Silver, Tin

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Parça Durumu

Obsolete

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Kurşunsuz Kodu

yes

Reach Svhc

No SVHC

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Frekans

200MHz

Hfemin

25

Transition Frequency

200MHz

ECCN Kodu

EAR99

Max Breakdown Voltage

80V

Number Of Elements

1

Power Dissipation

625mW

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Voltage Rated Dc

80V

Montaj Tipi

Through Hole

Yüzey Montaj

NO