BC637G

Teknik Özellikler

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Collector Current

1A

Transistor Element Material

SILICON

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

40 @ 150mA 2V

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

3

JESD-609 Kodu

e1

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Transistor Type

NPN

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV

Contact Plating

Copper, Silver, Tin

Max Power Dissipation

625mW

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Polaritychannel Type

NPN

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

Ambalaj

Bulk

Yayın Yılı

2007

ECCN Kodu

EAR99

Transition Frequency

200MHz

Power Dissipation

625mW

Number Of Elements

1

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Parça Durumu

Obsolete

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Kurşunsuz Kodu

yes

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Frekans

200MHz

Hfemin

25

Temel Parça No

BC637

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Gain Bandwidth Product

200MHz

Pin Sayısı

3

Radyasyon Dayanımı

No

Element Configuration

Single