BC558CZL1

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Transistor Type

PNP

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Parça Durumu

Obsolete

Terminal Sayısı

3

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Power Max

625mW

Akım Değeri

-100mA

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Jesd30 Code

O-PBCY-T3

Yayın Yılı

2005

Kurşunsuz

Contains Lead

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

420 @ 2mA 5V

ECCN Kodu

EAR99

HTS Kodu

8541.21.00.75

Transistor Element Material

SILICON

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Transistor Application

AMPLIFIER

Montaj Tipi

Through Hole

Polaritychannel Type

PNP

Transition Frequency

360MHz

Additional Feature

EUROPEAN PART NUMBER

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj

Through Hole

Frequency Transition

360MHz

Number Of Elements

1

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Qualification Status

Not Qualified

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Current Collector Cutoff Max

100nA

Pin Sayısı

3

JESD-609 Kodu

e0

Collector Emitter Voltage Vceo

650mV

Max Power Dissipation

625mW

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Max Collector Current

100mA

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Configuration

SINGLE

Voltage Rated Dc

-30V