BC557BRL1G

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Yükseklik

5.33mm

Contact Plating

Copper, Silver, Tin

Montaj Tipi

Through Hole

Transistor Application

AMPLIFIER

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Terminal Sayısı

3

Parça Durumu

Obsolete

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Yayın Yılı

2007

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

180 @ 2mA 5V

Kurşunsuz

Lead Free

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Akım Değeri

-100mA

Max Power Dissipation

625mW

Max Collector Current

100mA

Power Dissipation

625mW

JESD-609 Kodu

e1

Temel Parça No

BC557

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Voltage Rated Dc

-45V

Genişlik

4.19mm

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)

Pin Sayısı

3

Current Collector Cutoff Max

100nA

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Gain Bandwidth Product

320MHz

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Pin Sayısı

3

Polaritychannel Type

PNP

Hfemin

180

Transistor Type

PNP

Radyasyon Dayanımı

No

Yüzey Montaj

NO

Uzunluk

5.2mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Ambalaj

Tape & Reel (TR)