BC556BTFR

Teknik Özellikler

Uzunluk

5.2mm

Weight

240mg

Transistor Type

PNP

Polaritychannel Type

PNP

Pin Sayısı

3

Hfemin

110

Gain Bandwidth Product

150MHz

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Max Breakdown Voltage

65V

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Number Of Elements

1

Frekans

150MHz

Collector Base Voltage Vcbo

-80V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transition Frequency

150MHz

Element Configuration

Single

Collectoremitter Saturation Voltage

-250mV

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Collector Emitter Voltage Vceo

65V

Kurşunsuz

Lead Free

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Yayın Yılı

2007

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Akım Değeri

-100mA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

3

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Contact Plating

Tin

Yükseklik

5.33mm

Transistor Application

SWITCHING

Montaj Tipi

Through Hole

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO