BC556BG

Teknik Özellikler

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Gain Bandwidth Product

280MHz

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Hfemin

180

Pin Sayısı

3

Polaritychannel Type

PNP

Transistor Type

PNP

Radyasyon Dayanımı

No

Uzunluk

5.2mm

Yüzey Montaj

NO

Collector Emitter Voltage Vceo

65V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Ambalaj

Bulk

Collectoremitter Saturation Voltage

-300mV

Element Configuration

Single

Transition Frequency

280MHz

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Frekans

280MHz

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Number Of Elements

1

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Transistor Application

AMPLIFIER

Montaj Tipi

Through Hole

Contact Plating

Copper, Silver, Tin

Yükseklik

5.33mm

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Parça Durumu

Obsolete

Terminal Sayısı

3

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Akım Değeri

-100mA

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Yayın Yılı

2007

Kurşunsuz

Lead Free

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

180 @ 2mA 5V

JESD-609 Kodu

e1

Max Power Dissipation

625mW