BC546BZL1G

Teknik Özellikler

Transistor Type

NPN

Radyasyon Dayanımı

No

Yüzey Montaj

NO

Uzunluk

5.2mm

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Gain Bandwidth Product

300MHz

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Hfemin

200

Pin Sayısı

3

Polaritychannel Type

NPN

Transition Frequency

300MHz

Additional Feature

EUROPEAN PART NUMBER

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Frekans

300MHz

Number Of Elements

1

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Kurşunsuz Kodu

yes

Max Breakdown Voltage

65V

Collector Emitter Voltage Vceo

65V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Reach Svhc

No SVHC

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Collectoremitter Saturation Voltage

300mV

Element Configuration

Single

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Parça Durumu

Obsolete

Terminal Sayısı

3

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Akım Değeri

100mA

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Yayın Yılı

2007

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Kurşunsuz

Lead Free

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Montaj Tipi

Through Hole

Transistor Application

AMPLIFIER

Yükseklik

5.33mm