BC517ZL1G

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 100μA, 100mA

Transistor Type

NPN - Darlington

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Parça Durumu

Obsolete

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Terminal Sayısı

3

Yüzey Montaj

NO

Akım Değeri

1A

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30000 @ 20mA 2V

Kurşunsuz

Lead Free

Yayın Yılı

2009

Emitter Base Voltage Vebo

10V

ECCN Kodu

EAR99

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Transistor Element Material

SILICON

Montaj Tipi

Through Hole

Transistor Application

AMPLIFIER

Hfemin

30

Polarity

NPN

Pin Sayısı

3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transition Frequency

200MHz

Additional Feature

EUROPEAN PART NUMBER

Frequency Transition

200MHz

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

Collector Base Voltage Vcbo

40V

Terminal Kaplaması

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

Qualification Status

Not Qualified

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Number Of Elements

1

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz Kodu

yes

Current Collector Cutoff Max

500nA

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

JESD-609 Kodu

e1

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Max Collector Current

1A

Max Power Dissipation

625mW

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260